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[FET STP5NK50Z,STP5NK50,P5NK50Z]价格

作者:365bet官方网址发布时间:2019-11-04 10:58

型号:STP5NK50Z特性:*典型RDS(ON)= 1。
22 *很高的dv / dt容量* 100%的雪崩试验*最小的门负载*很小的比容量*制造重复性是一个很好的解释?
该系列通过对既定的ST去除进行极端优化来赢得PowerMESH设计。
除了要大大降低止推阻力外,还应采取措施确保良好的dv / dt容量,特别是对于应用**。
ST系列全高压MOSFET包含创新的MDmesh产品。
应用*大电流,快速切换*理想的离线电源,适配器,PFC照明*
包装:TO-220
源极漏极雪崩电压V(br)dss(V):500
VGS夹点电压(V):± 30
最大漏极电流Id(A):4。
4 4
最大漏源rDS点火电阻(点火)():1。
5 @ VGS = 10V
打开VGS(TH)电压(V).4。
5 5
功率PD(W):70
连续输水能力(PF):535类型。
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):3。
1个
EAS单脉冲雪崩能量(mJ):130
激活延迟时间Td(激活)(ns):15典型值。
上升时间Tr(ns):10典型值
延迟关闭时间Td(关闭)(ns):32typ。
下降时间Tf(ns):15典型值。
温度(°C):-55?150
说明:500V,4。
4AN沟道增强型场效应晶体管
(请咨询\下载以在线了解产品图片,产品参数,产品PDF和其他相关信息。

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